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韩国开发用于柔性大规模集成电路传送和封装的连续滚轧技术

日期:2016-09-02

 

韩国高级科学技术研究院与韩国机械研究院共同组成的研究小组开发了一种用于柔性大规模集成电路(LSI)传输和封装的滚轧技术,该技术是在塑料上构建中央处理器,从而获得软性电子材料的关键设备。

早在2013年,韩国高级科学技术研究院的研究人员就已经进行了0.18尺寸互补金属氧化物半导体(CMOS)硅基柔性LSI工艺演示,并在2015年举办的全球最大的半导体论坛——国际电子器件会议(IEDM)——特邀报告中演示了其研究成果。

高生产率轧制工艺被认为是利用柔性LSI开发商业化可穿戴计算机的核心技术。其技术难点不仅限于滚轧制造工艺,柔性LSI与其他柔性显示器、电池和外围设备连接的滚轧封装同样面临技术挑战。

为克服这些挑战,研究小组开始利用传统的半导体工艺生产在硅片上装配NAND闪存记忆卡,然后移除废弃的晶片,留下从顶部算数百纳米厚的电路层。接着,研究小组利用连轧封装技术,用异方性导电胶膜(ACF)将超薄设备同步传输并连接到柔性基板上。最终,成功演示了即使是在严重弯曲的条件下,硅基柔性NAND记忆卡依然能够稳定记忆且互相连接。本轧制柔性LSI技术可用于大量生产柔性应用处理器(AP)、高密度记忆卡以及高速通讯设备。 (中国船舶工业综合技术经济研究院 )

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