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MIT携手斯坦福打造集成处理器和内存的3D芯片

日期:2017-07-10

为了追赶摩尔定律,麻省理工与斯坦福两所大学的计算机科学家和电气工程师们,携手开发出了一种集成了内存和处理器、并采用碳纳米管线来连接的 3D 计算芯片。该团队制造了一台小规模的碳纳米管(CNT)计算机,它能够运行程序、简单的多任务操作系统、以及执行 MIPS 指令。项目领导人 Max Shulaker 相信,该技术能够克服逻辑电路和内存之间的通讯瓶颈。

 

 

CNT 芯片渲染图,各层之间通过纳米导线来通讯。

当前工程师们所面临的一个问题,就是日益增长的处理器(或存储)性能、与不断往返的大量数据传输之间的矛盾。即使当前最快的 CPU 和 RAM,仍受制于传统的并行总线架构。

而斯坦福/麻省理工研究团队的 3D 芯片,则交错布置着逻辑与内存层。这项技术不仅已被证实可行,也从根本上改变了晶体管的装配方式。

 

 

该芯片并未采用硅来制作晶体管,而是石墨烯;更确切的说,其中的碳纳米管也是由石墨烯制造的 —— 它们被称作“碳纳米管场效应晶体管”(CNFET),且在芯片上提供了逻辑层。

处理器上的其它层是“可变电阻式内存”(RRAM),它通过改变固体介质材料的电阻来工作。研究合著者 H.-S. Philip Wong 表示:“与 DRAM 相比,RRAM 的密度、速度和能效都可以更高”。

 

 

有关这项研究的详情,已经发表在近日出版的《自然》(Nature)期刊上。[编译自:TechSpot](cnbeta)

 

http://tech.sina.com.cn/roll/2017-07-08/doc-ifyhvyie0634473.shtml

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